IXYS IXFT30N40Q

包装/外壳

TO-268-3

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

400 V

Id - Continuous Drain Current

30 A

Rds On - Drain-Source Resistance

160 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

300 W

Channel Mode

Enhancement

Tradename

HyperFET

Fall Time

12 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Typical Turn-Off Delay Time

51 ns

Typical Turn-On Delay Time

25 ns

Unit Weight

0.158733 oz

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

51 ns

Package Description

TO-268, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXFT30N40Q

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

IXYS CORP

Risk Rank

5.71

Part Package Code

TO-268

Drain Current-Max (ID)

30 A

系列

IXFT30N40

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

300 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

35 ns

漏源电压 (Vdss)

400 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

30 A

JEDEC-95代码

TO-268

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.16 Ω

漏源击穿电压

400 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

输入电容

3.3 nF

DS 击穿电压-最小值

400 V

雪崩能量等级（Eas）

1.5 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

160 mΩ

最大rds

160 mΩ

高度

5.1 mm

长度

16.05 mm

宽度

14 mm