IXYS IXFT58N20

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

58A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

72 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

电阻

40MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 29A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

220nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

58A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

232A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅