IXYS IXFX90N20Q

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500W Tc

Turn Off Delay Time

82 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2002

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

200V

额定电流

90A

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 45A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

190nC @ 10V

上升时间

31ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

90A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.022Ohm

漏源击穿电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅