IXYS IXGA20N120B3

工厂交货时间

30 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Test Conditions

600V, 16A, 15 Ω, 15V

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

系列

GenX3™

已出版

2009

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

PURE TIN

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

180W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

180W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3.1V

最大集电极电流

36A

JEDEC-95代码

TO-263AA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

61 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.1V @ 15V, 16A

关断时间-标准值（toff)

720 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

51nC

集极脉冲电流（Icm）

80A

Td（开/关）@25°C

16ns/150ns

开关能量

920μJ (on), 560μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant