IXYS IXGF32N170

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5 (3 Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

1020V, 32A, 2.7 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

200W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*32N170

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

集电极发射器电压(VCEO)

1.7kV

最大集电极电流

44A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700V

接通时间

90 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.5V @ 15V, 32A

关断时间-标准值（toff)

920 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

146nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

45ns/270ns

开关能量

10.6mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

最大下降时间 (tf)

500ns

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅