IXYS IXGH40N120C3D1

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

4.4V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 30A, 3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

380W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*40N120

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

功率耗散

380W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

4.4V

最大集电极电流

75A

反向恢复时间

100ns

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

52 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

4.4V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

475 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

142nC

集极脉冲电流（Icm）

180A

Td（开/关）@25°C

17ns/130ns

开关能量

1.8mJ (on), 550μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant