IXYS IXGH72N60A3

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.35V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 50A, 3 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

320 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™, XPT™

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

540W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*72N60

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

540W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

31 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

75A

输入电容

6.6nF

接通时间

61 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.35V @ 15V, 60A

关断时间-标准值（toff)

885 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

230nC

集极脉冲电流（Icm）

400A

Td（开/关）@25°C

31ns/320ns

开关能量

1.38mJ (on), 3.5mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅