IXGH90N60B3详情
IXYS IXGH90N60B3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
24 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
质量
6.500007g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 60A, 2 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
GenX3™
已出版
2008
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
低导通损耗
最大功率耗散
660W
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
660W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.8V
最大集电极电流
75A
JEDEC-95代码
TO-247AD
接通时间
72 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 15V, 90A
关断时间-标准值(toff)
473 ns
IGBT类型
PT
闸门收费
172nC
集极脉冲电流(Icm)
500A
Td(开/关)@25°C
31ns/150ns
开关能量
1.32mJ (on), 1.37mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
最大下降时间 (tf)
250ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXGH90N60B3拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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