IXGM20N60A
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IXYS IXGM20N60A

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型号

IXGM20N60A

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXGM20N60A

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-204AE

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-204AE

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IXGM20N60A详情

IXYS IXGM20N60A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-204AE

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    40A

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    480V, 20A, 82 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 附加功能

    HIGH SPEED

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • JESD-30代码

    O-MBFM-P2

  • 元素配置

    Single

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    150W

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 反向恢复时间

    200ns

  • 最大耗散功率(Abs)

    150W

  • 接通时间

    300 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    3V @ 15V, 20A

  • 关断时间-标准值(toff)

    1150 ns

  • 闸门收费

    120nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    80A

  • Td(开/关)@25°C

    100ns/600ns

  • 开关能量

    2mJ (on), 2mJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • VCEsat-最大值

    3 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5V

  • 环境耗散-最大值

    150W

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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IXGM20N60A拓展信息

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