IXGR50N90B2D1详情
IXYS IXGR50N90B2D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
ISOPLUS247™
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
900V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.9V
Test Conditions
720V, 50A, 5 Ω, 15V
Number of Elements
1
系列
HiPerFAST™
已出版
2006
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
锡银铜
最大功率耗散
100W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IXG*50N90
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
ISOLATED
输入类型
Standard
功率 - 最大
100W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
900V
最大集电极电流
40A
反向恢复时间
200 ns
JEDEC-95代码
TO-247AD
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.9V @ 15V, 50A
IGBT类型
NPT
闸门收费
135nC
集极脉冲电流(Icm)
200A
Td(开/关)@25°C
20ns/350ns
开关能量
4.7mJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXGR50N90B2D1拓展信息
IXYS
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