IXYS IXGT60N60C3D1

工厂交货时间

19 Weeks

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Test Conditions

480V, 40A, 3 Ω, 15V

Number of Elements

1

已出版

2010

系列

GenX3™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

PURE TIN

最大功率耗散

380W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*60N60

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

380W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

75A

反向恢复时间

25 ns

接通时间

64 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

226 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

115nC

集极脉冲电流（Icm）

300A

Td（开/关）@25°C

21ns/70ns

开关能量

800μJ (on), 450μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

最大下降时间 (tf)

95ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant