IXYS IXKR25N80C

工厂交货时间

28 Weeks

安装类型

通孔

底架

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

72 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Tc

系列

CoolMOS™

已出版

2008

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

125MOhm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

250W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

355nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

25A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

800V

雪崩能量等级（Eas）

670 mJ

隔离电压

2.5kV

场效应管特性

超级交界处

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅