IXYS IXKT70N60C5

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Min.)

-55°C

终止次数

2

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

68A

JEDEC-95代码

TO-268AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

66A

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

雪崩能量等级（Eas）

1950 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅