IXYS IXTA110N055T2

工厂交货时间

28 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

180W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchT2™

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

180W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.6m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3060pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

110A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0066Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅