IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV

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IXYS IXTA1R6N100D2HV

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型号

IXTA1R6N100D2HV

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXTA1R6N100D2HV

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH

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IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV IXYS MOSFET N-CH

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IXTA1R6N100D2HV详情

IXYS IXTA1R6N100D2HV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    24 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.6A Tj

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    0V

  • Power Dissipation (Max)

    100W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 零件状态

    活跃

  • Reach合规守则

    compliant

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10 Ω @ 800mA, 0V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 100μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    645pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    27nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    1000V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    耗尽模式

0个相似型号

技术文档: IXYS IXTA1R6N100D2HV.

IXTA1R6N100D2HV拓展信息

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