IXTD1R4N60P 11
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IXYS IXTD1R4N60P 11

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型号

IXTD1R4N60P 11

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXTD1R4N60P 11

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Die

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V

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IXTD1R4N60P 11
IXTD1R4N60P 11 IXYS MOSFET N-CH 600V

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IXTD1R4N60P 11详情

IXYS IXTD1R4N60P 11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    Die

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.4A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    50W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PolarHV™

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9 Ω @ 700mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.5V @ 25μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    140pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    5.2nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

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技术文档: IXYS IXTD1R4N60P 11.

IXTD1R4N60P 11拓展信息

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