IXYS IXTH02N250

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

450 Ω @ 50mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

116pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

2500V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

200mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.5A

DS 击穿电压-最小值

2500V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅