IXYS IXTH20N60

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

系列

MegaMOS™

已出版

2000

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

电阻

350mOhm

电压 - 额定直流

600V

额定电流

20A

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170nC @ 10V

上升时间

43ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

20A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅