IXYS IXTH20P50P

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

460W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PolarP™

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

460W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5120pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

103nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

20A

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

漏源击穿电压

-500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant