IXYS IXTK600N04T2

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

600A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1250W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

FRFET®, SupreMOS®

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

输出电压

40V

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电源电流

200A

操作模式

增强型MOSFET

输出电流

600A

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

40000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

590nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

250 ns

连续放电电流(ID)

600A

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

驱动器数量

1

RoHS状态

ROHS3 Compliant