IXYS IXTK80N25

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

540W Tc

Turn Off Delay Time

88 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

系列

MegaMOS™

已出版

2003

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

33MOhm

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

540W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

33m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

240nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

250V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅