IXYS IXTM5N100A

工厂交货时间

35 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

180W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

180W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

2Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant