IXTN15N100详情
IXYS IXTN15N100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IXTN15N100
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
IXYS Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
IXYS CORP
Risk Rank
5.79
Part Package Code
SOT-227
Drain Current-Max (ID)
15 A
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel (Ni)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
15 A
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
1000 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
350 W
环境耗散-最大值
400 W
IXTN15N100拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS








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