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技术文档
型号
IXTN15N100
品牌
IXYS
utmel 编号
1274-IXTN15N100
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-227B, MINIBLOC-4
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IXTN15N100详情
技术参数
IXYS IXTN15N100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
IXYS Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
IXYS CORP
Risk Rank
5.79
Part Package Code
SOT-227
Drain Current-Max (ID)
15 A
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel (Ni)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
1000 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
350 W
环境耗散-最大值
400 W
IXTN15N100拓展信息
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公司资质
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型号:IXFH80N65X2
封装:TO-247-3
品牌:IXYS
¥55.275364
型号:IXTQ200N10T
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