IXYS IXTN600N04T2

工厂交货时间

28 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

600A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

940W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

GigaMOS™, TrenchT2™

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

NICKEL

附加功能

UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

输出的数量

1

输出电压

40V

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电源电流

200A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

940W

输出电流

600A

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.05m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

40000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

590nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

250 ns

连续放电电流(ID)

600A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅