IXYS IXTN62N50L

工厂交货时间

24 Weeks

底架

Chassis Mount, Panel, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

62A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

NICKEL

附加功能

UL 认证

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

800W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

36 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 500mA, 20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

550nC @ 20V

上升时间

85ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

75 ns

连续放电电流(ID)

62A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

雪崩能量等级（Eas）

5000 mJ

高度

9.6mm

长度

38.23mm

宽度

25.42mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅