IXYS IXTP08N50D2

工厂交货时间

24 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

800mA Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.6 Ω @ 400mA, 0V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

312pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.7nC @ 5V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

800mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

500V

场效应管特性

耗尽模式

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅