IXYS IXTQ32P20T

工厂交货时间

24 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

185nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

32A

漏极-源极导通最大电阻

0.13Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

96A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

1000 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准