IXYS IXTT1N250HV

工厂交货时间

24 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

40 Ω @ 750mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1660pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

2500V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

1.5A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

DS 击穿电压-最小值

2500V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅