IXTV22N60PS
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IXYS IXTV22N60PS

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型号

IXTV22N60PS

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXTV22N60PS

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

PLUS-220SMD

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2 Tab) PLUS220 SMD

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IXTV22N60PS
IXTV22N60PS IXYS Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(2 Tab) PLUS220 SMD

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IXTV22N60PS详情

IXYS IXTV22N60PS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    PLUS-220SMD

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    22A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    400W Tc

  • Turn Off Delay Time

    60 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PolarHV™

  • 已出版

    2006

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 电压 - 额定直流

    600V

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 额定电流

    22A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    400W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    350m Ω @ 11A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3600pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    62nC @ 10V

  • 上升时间

    20ns

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    23 ns

  • 连续放电电流(ID)

    22A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    600V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    66A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1000 mJ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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IXTV22N60PS拓展信息

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