IXYS IXTX210P10T

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

210A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1040W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchP™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5m Ω @ 105A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

69500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

740nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±15V

连续放电电流(ID)

210A

漏极-源极导通最大电阻

0.0075Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

800A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant