IXTX46N50L
IXTX46N50L

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IXYS IXTX46N50L

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型号

IXTX46N50L

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXTX46N50L

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247

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IXTX46N50L
IXTX46N50L IXYS MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247

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IXTX46N50L详情

IXYS IXTX46N50L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    24 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    46A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    20V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    700W Tc

  • Turn Off Delay Time

    80 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 电阻

    160mOhm

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    700W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    160m Ω @ 500mA, 20V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    6V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    7000pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    260nC @ 15V

  • 上升时间

    50ns

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    42 ns

  • 连续放电电流(ID)

    46A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    500V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: IXYS IXTX46N50L.

右边的3个型号有着和IXYS & IXTX46N50L相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    Radiation Hardening
    查看对比:
  • IXTX46N50L

    IXTX46N50L

    Through Hole

    TO-247-3

    46 A

    46A (Tc)

    30 V

    700 W

    700W (Tc)

    No

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IXTX46N50L拓展信息

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