IXYS IXTX5N250

工厂交货时间

28 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

90 ns

Power Dissipation (Max)

960W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

已出版

2010

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

960W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.8 Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

200nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

2500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

44 ns

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

5V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏源击穿电压

2.5kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant