IXYS IXTY26P10T

工厂交货时间

24 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchP™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3820pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

52nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±15V

连续放电电流(ID)

26A

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

雪崩能量等级（Eas）

300 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅