IXXH30N60C3D1
IXXH30N60C3D1

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IXYS IXXH30N60C3D1

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型号

IXXH30N60C3D1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXXH30N60C3D1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors XPT 600V IGBT 30A

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IXXH30N60C3D1
IXXH30N60C3D1 IXYS IGBT Transistors XPT 600V IGBT 30A

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IXXH30N60C3D1详情

IXYS IXXH30N60C3D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    400V, 24A, 10 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    GenX3™, XPT™

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 最大功率耗散

    270W

  • 端子位置

    SINGLE

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    270W

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.3V

  • 最大集电极电流

    60A

  • 反向恢复时间

    25 ns

  • JEDEC-95代码

    TO-247AD

  • 接通时间

    57 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.3V @ 15V, 24A

  • 关断时间-标准值(toff)

    166 ns

  • IGBT类型

    PT

  • 闸门收费

    37nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    110A

  • Td(开/关)@25°C

    23ns/77ns

  • 开关能量

    500μJ (on), 270μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5.5V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: IXYS IXXH30N60C3D1.

右边的3个型号有着和IXYS & IXXH30N60C3D1相似的参数规格。

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