IXXH60N65B4H1
IXXH60N65B4H1

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥84.453736

  • 10

    ¥79.673332

  • 100

    ¥75.163527

  • 500

    ¥70.908983

  • 1000

    ¥66.895272

IXYS IXXH60N65B4H1

  • 收藏
  • 对比

型号

IXXH60N65B4H1

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXXH60N65B4H1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
IXXH60N65B4H1
IXXH60N65B4H1 IXYS IGBT Transistors 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT

单价: $

合计:

库存:268

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IXXH60N65B4H1详情

IXYS IXXH60N65B4H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    650V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.7V

  • Test Conditions

    400V, 60A, 5 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    GenX4™, XPT™

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    380W

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    380W

  • 输入类型

    Standard

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2V

  • 最大集电极电流

    116A

  • 反向恢复时间

    150ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2V @ 15V, 60A

  • IGBT类型

    PT

  • 闸门收费

    95nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    230A

  • Td(开/关)@25°C

    37ns/145ns

  • 开关能量

    3.13mJ (on), 1.15mJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.5V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: IXYS IXXH60N65B4H1.

右边的3个型号有着和IXYS & IXXH60N65B4H1相似的参数规格。

查看更多

IXXH60N65B4H1拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z