IXYS IXXK200N60B3

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.4V

Number of Elements

1

Test Conditions

360V, 100A, 1 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™, XPT™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

1.63kW

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

1.63kW

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

1630W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.7V

最大集电极电流

380A

接通时间

140 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

395 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

315nC

集极脉冲电流（Icm）

900A

Td（开/关）@25°C

48ns/160ns

开关能量

2.85mJ (on), 2.9mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant