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技术文档
型号
IXZR16N60A
品牌
IXYS
utmel 编号
1274-IXZR16N60A
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS 247, 3 PIN
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IXZR16N60A详情
技术参数
IXYS IXZR16N60A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
IXYS Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
IXYS CORP
Risk Rank
5.82
Drain Current-Max (ID)
18 A
JESD-609代码
e1
无铅代码
端子表面处理
锡银铜
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
DS 击穿电压-最小值
600 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
350 W
IXZR16N60A拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IXFH80N65X2
封装:TO-247-3
品牌:IXYS
¥55.275364
型号:IXTQ200N10T
封装:TO-3P-3, SC-65-3
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