MMIX1F132N50P3
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IXYS MMIX1F132N50P3

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型号

MMIX1F132N50P3

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-MMIX1F132N50P3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

24-PowerSMD, 21 Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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MMIX1F132N50P3 IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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MMIX1F132N50P3详情

IXYS MMIX1F132N50P3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    30 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    24-PowerSMD, 21 Leads

  • 引脚数

    24

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    63A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    520W Tc

  • Turn Off Delay Time

    90 ns

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    5V @ 8mA

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HiPerFET™, Polar3™

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    42 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    43m Ω @ 66A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    18600pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    250nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    500V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    63A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    40V

  • 高度

    5.7mm

  • 长度

    25.25mm

  • 宽度

    23.25mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和IXYS & MMIX1F132N50P3相似的参数规格。

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