IXYS MMIX1F44N100Q3

工厂交货时间

30 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

24-PowerSMD, 21 Leads

引脚数

24

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

694W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Turn Off Delay Time

66 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2006

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

21

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G21

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

48 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

245m Ω @ 22A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

264nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

1kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

110A

雪崩能量等级（Eas）

4000 mJ

高度

5.7mm

长度

25.25mm

宽度

23.25mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅