IXYS MMIX1T600N04T2

工厂交货时间

28 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

24-PowerSMD, 21 Leads

引脚数

24

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

600A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

830W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

FRFET®, SupreMOS®

已出版

2010

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

21

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G21

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3m Ω @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

40000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

590nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

600A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0013Ohm

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2000A

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

高度

5.7mm

长度

25.25mm

宽度

23.25mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant