MMIX1T660N04T4详情
IXYS MMIX1T660N04T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
28 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
24-PowerSMD, 21 Leads
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
660A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
830W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
850μ Ω @ 100A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
44000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
860nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±15V
达到SVHC
compliant
MMIX1T660N04T4拓展信息
IXYS
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