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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 MMIX1T660N04T4
MMIX1T660N04T4
MMIX1T660N04T4

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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IXYS MMIX1T660N04T4

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型号

MMIX1T660N04T4

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-MMIX1T660N04T4

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

24-PowerSMD, 21 Leads

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DISC MSFT SMPD PKG-HIPERFETMSFT

起订量

1最小包装量--

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MMIX1T660N04T4
MMIX1T660N04T4 IXYS DISC MSFT SMPD PKG-HIPERFETMSFT

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MMIX1T660N04T4详情

技术参数

IXYS MMIX1T660N04T4重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    24-PowerSMD, 21 Leads

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    660A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    830W Tc

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    4V @ 250μA

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 零件状态

    活跃

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    850μ Ω @ 100A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    44000pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    860nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • Vgs（最大值）

    ±15V

  • 达到SVHC

    compliant

0个相似型号

MMIX1T660N04T4拓展信息

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公司资质

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AS
SMTA
DUNS
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