IXYS VMO1200-01F

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

Y3-Li

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1220A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tray

系列

HiPerFET™

已出版

2010

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

VMO

引脚数量

4

JESD-30代码

R-XUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.35m Ω @ 932A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 64mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2520nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

1.245kA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1220A

漏极-源极导通最大电阻

0.00125Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅