VMO1600-02P
VMO1600-02P

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

IXYS VMO1600-02P

  • 收藏
  • 对比

型号

VMO1600-02P

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-VMO1600-02P

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Y3-Li

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
VMO1600-02P
VMO1600-02P IXYS MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

VMO1600-02P详情

IXYS VMO1600-02P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Y3-Li

  • 引脚数

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1900A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tray

  • 系列

    PolarHT™

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    VMO

  • 引脚数量

    4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.7m Ω @ 1600A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 5mA

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2900nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    200V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    1.9kA

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1900A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.00165Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    200V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: IXYS VMO1600-02P.

VMO1600-02P拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z