IXYS-RF IXZR18N50

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

175°C

Voltage Rated

500V

包装

Tube

系列

Z-MOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

额定电流

19A

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

65MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

N-Channel

增益

23dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

19A

DS 击穿电压-最小值

500V

功率 - 输出

350W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

350W

RoHS状态

符合RoHS标准