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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 单个 JT015N065FED
JT015N065FED
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Jilin Sino-Microelectronics JT015N065FED

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型号

JT015N065FED

品牌

Jilin Sino-Microelectronics

utmel 编号

1604-JT015N065FED

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

31W 30A 650V TO-220MF IGBT Transistors / Modules ROHS

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JT015N065FED
JT015N065FED Jilin Sino-Microelectronics 31W 30A 650V TO-220MF IGBT Transistors / Modules ROHS

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JT015N065FED详情

技术参数

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Jilin Sino-Microelectronics JT015N065FED重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • RoHS

    true

  • Power Dissipation (Pd)

    31W

  • Collector Current (Ic)

    30A

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)

    650V

  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)

    6.5V@250uA

  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge)

    1.6V@15A,15V

  • Input Capacitance (Cies@Vce)

    880pF@25V

  • Diode Forward Voltage (Vf@If)

    1.4V@15A

  • Package

    Tube-packed

  • 操作温度

    -55℃~+150℃@(Tj)

0个相似型号

技术文档: Jilin Sino-Microelectronics JT015N065FED.

JT015N065FED拓展信息

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