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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥498.472037
10
¥470.256635
100
¥443.638336
500
¥418.526738
1000
¥394.836542
DU2810S详情
MA-COM DU2810S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
表面安装
YES
引脚数
4
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
20
Manufacturer
MACOM
Brand
MACOM
RoHS
Details
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
65 V
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Minimum Operating Temperature
-
Mounting Styles
法兰安装
Rds On - Drain-Source Resistance
-
Id - Continuous Drain Current
2.8 A
Package Description
FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
DU2810S
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC
Risk Rank
5.26
Drain Current-Max (ID)
2.8 A
包装
Bulk
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
附加功能
低噪音
子类别
MOSFETs
技术
Si
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-CRFM-F4
资历状况
不合格
工作频率
175 MHz
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
输出功率
10 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
射频MOSFET晶体管
连续放电电流(ID)
2.8 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
增益
13 dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.8 A
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
35 W
最高频段
甚高频段
产品类别
射频MOSFET晶体管
DU2810S拓展信息
MA-COM
MA-COM
MACOM Technology Solutions
MACOM Technology Solutions
MA-COM
MA-COM
MA-COM
MA-COM
MA-COM
MA-COM







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