MA-COM DU28200M

底架

Screw

表面安装

YES

引脚数

5

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

RoHS

Compliant

Id - Continuous Drain Current

20 A

Rds On - Drain-Source Resistance

-

Mounting Styles

法兰安装

Minimum Operating Temperature

-

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

65 V

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

DU28200M

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

MACOM

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC

Risk Rank

1.63

Drain Current-Max (ID)

20 A

包装

Bulk

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

389 W

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-CDFM-F4

资历状况

不合格

工作频率

175 MHz

配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

输出功率

200 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

20 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

增益

13 dB

最高频率

175 MHz

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

388 W

最高频段

甚高频段

辐射硬化

无