MA-COM MRF1150MB

安装类型

底座安装

包装/外壳

332A-03

表面安装

YES

供应商器件包装

332A-03

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Emitter-Base Voltage

4(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

CASE 332A-03

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

70(V)

Category

Bipolar RF

Operating Temp Range

-65C to 150C

Collector Current (DC)

12(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Collector-Emitter Voltage

70 V

DC Current Gain

10@5A@5V

Mounting

表面贴装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Manufacturer

MACOM

Brand

MACOM

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

12A

Base Product Number

MRF1150

厂商

MACOM技术解决方案

Product Status

活跃

Package Description

DISK BUTTON, O-XRDB-F4

Package Style

磁盘按钮

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Package Code

CASE 332A-03

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MRF1150MB

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC

Risk Rank

5.09

操作温度

-

系列

-

无铅代码

有

类型

NPN

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

1215 MHz

引脚数量

4

JESD-30代码

O-XRDB-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE DUAL BASE

功率耗散

583(W)

箱体转运

BASE

功率 - 最大

150W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

增益

9.8dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

70V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

583 W

最小直流增益（hFE）

10

最高频段

L带

集电极-基极电容-最大值

32 pF

噪音数字(分贝类型@ f)

-

功率增益

9.8(dB)

产品类别

射频双极晶体管